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台积电据报应英伟达要求起草 3D DRAM 生产计划，量产时间表与建厂方案均未定
据 11 月 6 日独家报道（记者 Qianer Liu），全球最大晶圆代工厂台积电已应其最大客户英伟达的要求，开始起草生产先进内存 3D DRAM 的计划——这是一种把存储单元垂直堆叠的内存芯片。若计划落地，全球内存供应将在三星电子、SK 海力士和美光这三家长期主导者之外，多出一家新制造商。
报道把这一转变的起因归结为 AI 驱动的内存短缺。但据 The Information，这份计划仍处在很早期的阶段：量产时间表尚未确定，是新建晶圆厂还是改造现有工厂也未作出决定；台积电表示，公司重心仍在逻辑代工。
报道细节：两名知情人士，一位出身美光的牵头人
梳理了 The Information 报道的细节：两名直接知情人士称，台积电近期开始拟定生产垂直堆叠 3D DRAM 的计划，目前评估两条路径——新建专用晶圆厂，或收购并改造一座现有厂区。牵头这项探索的是台积电主管先进封装业务的副总裁 Hsu Kuo-chin，他此前曾负责美光的区域业务；报道认为这一安排本身就说明，内存与先进封装（把内存和计算单元整合为完整计算系统的专门工艺）已经难分彼此。
资本市场当天就作出了反应：据 Investing.com 报道，11 月 6 日（周五）美股开盘后，台积电美国存托凭证（ADR）一度上涨 7.7%； 在盘中发布的评述里写当日涨幅约 5%，并提醒就在前一天（周四）的芯片股抛售中，台积电单日跌了 10%。
起因：AI 把内存买空，DRAM 均价一个季度涨五成
年初的一组数字，说明了 2026 年内存市场的紧张程度。 1 月报道，英伟达、AMD 和谷歌的 AI 芯片需要海量内存，这些公司又排在采购队伍最前列，今年全球内存产量将不足以满足需求；美光、SK 海力士和三星三家厂商几乎构成整个内存（RAM）市场。
价格随之被推高。研究机构 TrendForce 当时预计，2026 年第一季度 DRAM（动态随机存取内存）均价将比 2025 年第四季度上涨 50%～55%，其分析师 Tom Hsu 称这种涨幅“史无前例”。美光商务负责人 Sumit Sadana 对 CNBC 说，需求激增“远超我们的供应能力，在我们估计中，也超过了整个内存行业的供应能力”，并直言美光“2026 年产能已全部售罄”；SK 海力士则在 2025 年 10 月表示，已锁定 2026 年全部 RAM 产能的需求。
供不应求有一个结构性原因：AI 芯片所需的 HBM（高带宽内存）与常规内存争抢产能。按 Sadana 的说法，每生产 1 bit 的 HBM，就要放弃 3 bit 常规内存的产能——AI 拿得越多，其他设备能分到的越少。后果已经传导到终端：TrendForce 测算，内存已占一台笔记本电脑硬件成本的约 20%，高于 2025 年上半年的 10%～18%；戴尔在 2025 年 11 月表示产品成本基数将上升，Investing.com 的文章则提到，苹果今年早些时候已因内存采购成本上升而上调硬件价格。
英伟达要第四家内存供应商，黄仁勋早说过需要更多内存工厂
对英伟达来说，多一家供应商的意义很直接：TIKR 的评述指出，这将在这个长期由三家公司主导的市场里，给英伟达增加议价筹码。CNBC 报道称，英伟达已成为 HBM 市场的最大客户：其已进入量产的 Rubin GPU 每颗最高搭载 288 GB 的 HBM4 内存，一台 NVL72 服务器机架要集成 72 颗这样的 GPU。
英伟达 CEO 黄仁勋在 1 月 CES 展会期间已把话说得很直白。CNBC 报道，他在新闻发布会上说：“因为我们的需求如此之高，每一家工厂、每一个 HBM 供应商都在扩产，而且都做得很好。”他还表示，由于 AI 的需求太高，最终仍需要更多内存工厂。The Information 报道称，正是内存短缺促使芯片设计者在三大内存厂之外寻找供应——英伟达于是向自己的代工厂提出了要求。
3D DRAM：把存储单元竖着堆，量产仍是未知数
3D DRAM 被业界视为下一代内存的候选方向，但从公开信息看，SK 海力士和三星的相关工作都还没到量产阶段。 7 月援引韩国媒体消息称，SK 海力士已通过其美国圣何塞子公司招聘“3D 堆叠 DRAM-on-Logic 设计工程师”，这是该公司首次为这项技术专门招聘，并与一家美国客户共同设计其中的逻辑晶粒（logic die）；这种架构把 DRAM 直接垂直整合在片上系统（SoC）之上，互连比堆叠封装（PoP）更短、数据通道更多，主要瞄准端侧 AI。SK 海力士总裁兼首席开发官 Hyun Ahn 在台积电 2026 年技术论坛上表示，AI 发展越来越受内存瓶颈制约，公司正与台积电合作，把先进逻辑工艺用于 HBM4 基底晶圆，并计划扩展到高带宽闪存（HBF）和 3D 堆叠 DRAM-on-Logic。三星则与 imec、KU Leuven 和 Lam Research 发表了关于氧化物半导体沟道单体式 3D DRAM 的联合论文，研究仍停留在仿真阶段，没有披露商业化计划。
据 Investing.com 的转述，The Information 在报道中提到，台积电握有与垂直 DRAM 相关的专有专利，但把实验室设计转化为无缺陷的量产，面临严峻的执行挑战。
新建还是改造：美光把两条路都示范了一遍
台积电面临的建厂选择题，美光在 2026 年把两种答案都摆了出来。改造路径上，报道，美光 1 月 17 日与台湾力积电（Powerchip）签署意向书，以 18 亿美元收购其 P5 厂区，交易预计从 2027 年起提升 DRAM 产出，消息公布后力积电股价上涨近 10%。新建路径上，Sadana 对 CNBC 说，美光正在爱达荷州博伊西建造两座大型内存厂，分别在 2027 年和 2028 年投产，还将在纽约州克莱动工一座预计 2030 年投产的工厂。而台积电自己，还没在这两条路之间作出选择。
落地之前：周期起伏、伙伴变对手，以及一个空白时间表
TIKR 的评述提醒了这门生意的另一面：内存的波动远比晶圆代工剧烈——SK 海力士过去 12 个月的毛利率高达 77%，但 2023 年录得 7.7 万亿韩元的经营亏损；而台积电 2021 年到 2025 年每年的毛利率都保持在 50% 以上。
还有一层绕不开的关系。2024 年，台积电曾与 SK 海力士达成协议，为其下一代高带宽内存生产基底逻辑晶粒；TIKR 指出，如果台积电真的推进内存业务，这位合作伙伴就会变成英伟达订单上的竞争对手。
目前，台积电和英伟达都没有官方确认这一计划。TIKR 在评述中写道：“这目前仍只是一篇报道”，并认为即便计划推进，也不会在几年内体现在台积电的业绩数字里。下一个硬数据节点，是台积电下周公布的 10 月营收，以及明年 1 月中给出的 2027 年展望。