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据报道三星接受 Nvidia 要求，NVHBM 定制 HBM 基础裸片将改用台积电 3nm 工艺
据韩国英文版 10 月 18 日报道，Nvidia 已要求生产 NVHBM 定制高带宽内存（HBM）的三家供应商——三星电子、SK hynix 和美光（Micron）——把基础裸片（base die）改用台积电 3nm 工艺生产，并把核心裸片（core die）统一到业内称 1c 的第六代 DRAM 工艺。报道援引匿名行业消息人士的说法称，三星电子 DS（Device Solutions）部门经内部评估后决定接受这一要求。
同日，Reuters 转发了这篇报道，由刊载。至于“Nvidia 提出要求、三星接受”这一核心事实，三星电子、台积电与 Nvidia 均未官方确认。
台积电标志（《经济时报》报道配图）
基础裸片承担系统功能，统一工艺为了性能一致
这项要求适用于获选生产 NVHBM 的全部三家供应商。NVHBM 于今年 8 月发布，把 Nvidia 自家的内存控制器集成进基础裸片。在一块 HBM 里，核心裸片充当内存芯片，基础裸片则承担系统半导体的功能；按《经济时报》引述的公司口径，这一设计面向多家内存供应商，意在统一各家产品的实现方式。NVHBM 本身基于 HBM4E 的架构，后者是第七代、也是下一代 HBM。
报道同时解释了统一工艺的理由：各家供应商制造方式不同，同一个设计放在不同产线上，很难跑出一致的性能；标准化之后，为每家供应商分别验证产品的负担也会随之减轻。
DS 部门接受要求，三星第一次在 HBM 制造阶段与台积电合作
报道指出，三星迄今供应的 HBM 全部采用 turnkey（一揽子全包）模式，两种裸片都在自家产线完成；此次接受 Nvidia 的技术要求后，NVHBM 的基础裸片将改由台积电制造。作出决定的是三星 DS 部门，该部门同时负责运营三星的代工业务。
双方并非第一次打交道。报道称，四年前三星曾与台积电配合，为的是在 HBM 与 GPU 连接时兼容台积电的封装工艺，但那并未进入制造环节；这次是两家公司第一次从 HBM 制造阶段展开合作。
自有 4nm 代工继续用于 HBM4、HBM4E 与 AMD 订单，并为 NVHBM 留下产能对冲
接受要求并不等于放弃自有代工。报道称，三星对标准 HBM 产品仍将维持 turnkey 策略：第六代 HBM4 与第七代 HBM4E 的基础裸片继续使用三星自有 4nm 代工工艺——前者今年早些时候量产，按报道说法为全球最先；后者正处于量产验证阶段。两款产品的核心裸片则由华城（Hwaseong）与平泽（Pyeongtaek）园区的 1c 产线生产。
对包括 AMD 在内的其他定制 HBM 客户，三星也计划沿用 turnkey 模式。至于 NVHBM，三星保留了使用自家代工的可能性。《首尔经济日报》援引一位行业人士的话说：“三星正在验证是否也能在自有代工线上生产 NVHBM 基础裸片。这是一项对冲，以防 NVHBM 需求超出台积电的产能。”
10 月 14 日，首尔 COEX 举办的 SEDEX 2026 展会上，三星电子展出的 HBM4E 及其晶圆（图：Kim Jung-hoon / 首尔经济日报）
关键事实全部出自匿名消息源，三方均未确认
这篇报道的关键事实——Nvidia 提出要求、三星经评估接受——均来自行业消息人士 18 日向《首尔经济日报》的匿名透露，两篇报道中没有任何一方的官方声明或文件佐证。截至 10 月 20 日发稿，三星电子、台积电与 Nvidia 均未对相关内容作出官方确认。
眼下仍待验证的是两件事：三星自有产线能否生产 NVHBM 基础裸片，以及 NVHBM 需求是否会超出台积电的产能。