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三星据报为英伟达 NVHBM 放弃 turnkey 惯例，与台积电联合开发 3nm 基底裸片
据 美东时间 11 月 7 日报道（消息源为）：英伟达自研的定制高带宽内存 NVHBM，其基底裸片（base die）将由三星与台积电这对代工对手联合开发，落在 3nm 节点；三星已接受英伟达的要求，为此放弃它在 HBM 上惯用的 turnkey（整套交钥匙）模式——此前三星供货 HBM 时，承担内存功能的核心裸片和承担系统半导体功能的基底裸片全部自己生产。
报道还称，英伟达已要求三星、美光（Micron）与 SK 海力士三家内存厂，把 NVHBM 的基底裸片统一放到台积电 3nm 工艺上制造，核心裸片（core die）则统一采用第六代（1c）DRAM 工艺。报道的更新部分还提到：英伟达据报要求台积电启动 3D DRAM 生产，台积电随即否认有任何量产 3D DRAM 的计划，称将继续专注逻辑芯片制造。
决策细节：三星 DS 部门检讨后接受英伟达要求
《首尔经济日报》10 月 18 日的报道给出了决策细节：拍板的是三星 DS 部门，据 转述，这个统管代工业务的事业部在内部检讨后接受了英伟达的要求。Wccftech 称，这是这家韩国厂商头一次在 turnkey 模式上让步。
放弃只限 NVHBM 一个项目。标准 HBM 产品照旧：三星今年初全球率先量产的 HBM4（第六代）与正在做量产验证的 HBM4E（第七代），基底裸片仍用三星自家 4nm 工艺，核心裸片在华城、平泽园区的 1c 产线上制造；对 AMD 等其他客户的定制 HBM，三星也打算继续走 turnkey。
三星与台积电并非第一次打交道。《首尔经济日报》提到，四年前双方曾为让 HBM 兼容台积电的 GPU 封装工艺而合作，但从 HBM 制造环节开始携手，这是第一次。
英伟达要求三家厂统一工艺：为性能一致，也为省掉逐一验证
《首尔经济日报》称，英伟达的要求覆盖全部三家 HBM 供应商：承接 NVHBM 生产的三星，以及 SK 海力士、美光，都要用台积电 3nm 工艺制造基底裸片，核心裸片统一用 1c DRAM 工艺；NVHBM 本身则以 HBM4E 的结构为基础。
该报解释了英伟达的动机：各供应商制造方式不同，英伟达设计的产品性能就难以一致地实现，而且每家都要单独验证，负担不小。Wccftech 的说法更具体：基底裸片只走台积电 3nm 一种工艺，英伟达就不必对每家供应商的样品分别做质量验证，省下时间和资源，最终目标是造出需要更少验证步骤的标准化产品。
这套「标准实现」的思路，英伟达在 8 月 26 日发布 NVHBM 时已写明：将建立一个可由多家内存供应商提供的标准实现，以减少客户跨供应商集成与认证内存的工程量。三星的让步，把这份宣示推进成了报道中的制造安排。
内存控制器搬进基底裸片：为什么 NVHBM 需要先进逻辑工艺
按英伟达的说法，传统 HBM 架构把内存控制器放在 XPU（定制计算芯片）裸片上，占用本可用于计算的硅面积；NVHBM 把英伟达的定制内存控制器集成进 HBM 的 3D 堆栈，也就是基底裸片里。由此带来的官方数字是：与标准 HBM4E 相比，内存带宽最高提升 30%，HBM 功耗降低 15%，XPU 计算裸片面积最多腾出 25%。亚马逊 Annapurna Labs 将是第一家就 NVHBM 展开合作的客户，并从其下一代 Trainium4 芯片起支持 NVLink Fusion；其副总裁 Nafea Bshara 称，NVHBM「代表了一种推进高带宽内存性能与能效的新架构方法」。
这也是基底裸片要用先进逻辑工艺制造的原因。TrendForce 转引《首尔经济日报》另一篇报道称，NVHBM 复杂的基底裸片设计需要先进逻辑工艺；行业估算台积电 3nm 良率已高于 90%，而三星 2nm（SF2）工艺约 60%。Wccftech 还提到，定制 HBM 的去向包括英伟达的 Feynman 架构 GPU。
三星的备份选项与台积电的产能现实
三星同时留有自家备选：《首尔经济日报》引述业界人士说法称，三星正在验证能否在自家代工上生产 NVHBM 基底裸片，以备 NVHBM 需求超出台积电产能的情况。这条备选路线早有铺垫： 9 月的报道称，三星在定制 HBM 的基底裸片上会同时采用自家代工与台积电工艺，走双轨路线。
台积电那边的产能确实不宽松。TrendForce 提到，3nm 正面临 AI 加速器与智能手机芯片的双重需求竞争；在 10 月 15 日的法说会上，3nm 占台积电第三季度晶圆销售额的 33%，为各工艺节点中占比最高。据 TrendForce 转引台湾《经济日报》报道，董事长兼 CEO 魏哲家宣布将在台南再建一座 3nm 工厂，预计 2028 年上半年量产。
Wccftech 称 HBM 是三星收窄代工亏损的「救星」，并引述此前的估算：亏损一年内缩小 41%，从 2025 年的 6.74 万亿韩元（约 51 亿美元）降到 2026 年的 3.92 万亿韩元（约 29.5 亿美元）。文章的判断是，鉴于这一方案带来的巨大需求，三星并不介意与台积电临时联手。
台积电否认量产 3D DRAM 之后：NVHBM 的分工边界
Wccftech 的更新部分还交代了这条插曲：台积电不只是被点名量产 NVHBM 基底裸片，英伟达据报还要求这家代工厂启动 3D DRAM 生产。消息传出后不久，台积电即回应，否认有任何量产 3D DRAM 的计划，将继续专注逻辑芯片制造。
这条否认划出了台积电在 NVHBM 分工中的位置：基底裸片落在 3nm 逻辑工艺上，属于它坚持的范畴；核心裸片所依赖的 1c DRAM 工艺，则仍在三星、SK 海力士与美光手里。在这轮报道引述的消息中，台积电的否认是唯一的公司公开回应，NVHBM 的整套制造安排目前仍停留在媒体报道口径。