长鑫存储据报两个月内限量投产 HBM3E：良率仅 20%～30%，样品已送至多家国内 AI 芯片设计商

据 10 月 28 日报道，中国最大的 DRAM（动态随机存取存储器）制造商长鑫存储（ChangXin Memory Technologies，CXMT）已向多家中国 AI 芯片设计公司送出 HBM3E 样品；其中一位知情人士称，长鑫预计在未来两个月内开始限量生产这种与 AI 处理器配合使用的高带宽内存。两位知情人士称，此时长鑫的 HBM3E 良率只有约 20%～30%，即生产线下线的芯片中符合规格的比例，而市场龙头 SK 海力士（SK hynix）的良率约为 70%。

上述细节刊发于 McClatchy 报业旗下的路透社通稿页面。报道说明，长鑫的 HBM3E 生产计划此前已由 The Information 率先报道，良率数字与交付时间表则是路透社首次披露。两位知情人士因计划尚未公开而拒绝具名；长鑫存储未回应置评请求，SK 海力士也未立即回应关于良率估算的问询。

长鑫存储园区标识牌。路透社档案照片，刊于页面。

长鑫送出两个 HBM3E 版本，测试性能更接近上一代 HBM3

据知情人士透露，长鑫已向客户送出两个版本的 HBM3E：一个是标准设计，另一个包含旨在提升良率的修改。良率之外还有性能差距：一位知情人士称，在测试中，长鑫 HBM3E 的表现更接近 SK 海力士的上一代产品 HBM3，而不是其 HBM3E。

按路透社的说法，低良率意味着更大比例的芯片必须报废或返工，生产因此变得更加昂贵。知情人士补充，长鑫最早在 2024 年就在公司内部启动这项技术的开发。

样品去向：此前的报道曾点名平头哥与寒武纪

路透社没有公布收样方名单。 9 月 1 日援引 The Information 8 月 31 日的报道称，阿里巴巴旗下平头哥、总部位于北京的寒武纪等多家中国芯片设计公司，正在测试将长鑫 HBM3E 与自家处理器搭配使用；如果进展顺利，这些公司最早将于 2027 年在产品中采用这款内存，长鑫当时计划于 2027 年扩大产量。

出口管制下的内存缺口与数倍溢价

HBM（高带宽内存）通过垂直堆叠内存芯片制成，以便与 AI 处理器快速交换数据，是训练和运行大语言模型所用专用芯片的关键部件。路透社报道称，这类芯片对政府支持的大规模发展英伟达（Nvidia）AI 处理器国产替代的努力至关重要，而中国正面临这类内存的严重短缺。

2024 年 12 月，华盛顿收紧了对运往中国的部分先进 HBM 产品的出口管制；知情人士称，中国芯片制造商此后越来越多地通过非官方渠道获取这类内存，价格可达数倍。按知情人士的说法，长鑫在良率偏低的情况下仍推进生产，正是因为中国 AI 芯片公司难以获得足够的先进内存来扩大产量。

下游已经涨价：华为、寒武纪等上调 AI 芯片价格 20%～50%

内存缺口已经传导到芯片定价。路透社上月（2026 年 9 月）报道，华为、Cambricon（寒武纪）、MetaX 与 Iluvatar CoreX 已将现款及下一代 AI 芯片价格上调 20%～50%，原因是内存成本令生产爬坡更加复杂。一位知情人士称，长鑫的 HBM3E 预计将比海外厂商的可比产品更贵。

份额清单上的差距：商用 HBM 至少落后一代

市场研究机构 Counterpoint Research 的数据显示，第二季度全球 HBM 收入中，SK 海力士占 50%，三星占 33%，美光占 18%，其中大部分收入来自 HBM3E。同一季度，长鑫在全球 DRAM 收入中占 10%，是全球第四大常规内存供应商。

路透社指出，美国出口管制限制长鑫获取部分最先进的芯片制造设备，令其更难缩小与全球对手的差距。SK 海力士、三星电子和美光科技主导着全球 HBM 供应，而三星已在下一代产品上走得更远：三星 7 月表示已扩大 HBM4 销售，并向主要客户送出 HBM4E 样品。按路透社的表述，这让长鑫在商用 HBM 生产上至少落后一代。

参考链接

路透社原文：
McClatchy（islandpacket.com）转载全文：
联合早报（2026-09-01）：
配图（路透社档案照片，联合早报页面图床）：